金融界2024年11月6日消息,国家知识产权局信息显示,旺宏电子股份有限公司申请一项名为“半导体元件及其制造方法”的专利,公开号CN118900569A,申请日期为2023年5月。

专利摘要显示,本公开提供了一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括阶梯结构与外延部。所述阶梯结构位于介电基底上。所述阶梯结构包括彼此交替堆叠的多个导电层与多个绝缘层。所述外延部在所述阶梯结构的低阶部的末端。所述外延部与所述多个导电层具有不同的电阻值。

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