金融界2024年11月7日消息，国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司取得一项名为“一种加热盘及薄膜沉积设备”的专利，授权公告号CN221956193U，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种加热盘，以及一种薄膜沉积设备。所述加热盘包括：支撑部，用于支撑待加工晶圆的底部；限位部，包围所述支撑部的外缘，用于限制所述晶圆在所述加热盘的位移；以及静电网，集成于所述支撑部内，用于向所述支撑部提供静电，以经由所述支撑部与所述晶圆的接触面来静电吸附所述晶圆，其中，所述支撑部及所述限位部均由高温绝缘材料制成，用于均匀加热所述晶圆，并阻止所述加热盘向其下方及侧面漏电。
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