金融界2024年10月22日消息,国家知识产权局信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利,公开号CN118763096A,申请日期为2024年7月。

专利摘要显示,本发明提供了一种半导体器件,所述半导体器件包括半导体基底,所述半导体基底包括SOI区和体硅区,所述SOI区包括从下至上的衬底、埋氧层及半导体层,所述体硅区包括所述衬底,所述体硅区的所述衬底的顶面与所述SOI区的所述半导体层的顶面齐平,从而可以降低所述SOI区和所述体硅区上制备相应的半导体结构时,对刻蚀工艺和沉积工艺的要求。相应的,本发明还提供了一种半导体器件的制备方法。

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